玻璃料的制作方法

玻璃料的制作方式

【技术接】

[0001] 本创造触及无铅。、砷、安蒂莫尼和碲等危险物料。熔点低的玻璃料。

[镶嵌技术]

[0002] 玻璃料被运用于将金刚砂(SiC)刻等半导体有根基的与基板下流场所的刻忠诚(Die 附)作为论据的事实、用于电极产生的导电浆料。旁,玻璃料还被运用于房屋集成电路器件的陶 瓷器包装、电子配件的密封作为论据的事实,如显示器件。。思索顶点敏感目标的特点,而需 在较低发烧下结合的刻胶水作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实。在较低的发烧下,这可以是胶粘的。 刻键合用粘接作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实运用使详细化低熔点玻璃的结成物。

[0003] 在前,玻璃低熔点,Pb0B-B203零碎的低熔点玻璃。它在专利的发短信献1中户外。 一种玻璃,其作为低变柔和点的玻璃而使详细化20~70%氧化银、10~70%的钒钼氧化物质、 从磷中选出10~70%。、锗、砷、锑、铋和碲的半金属氧化物质(专利的发短信献1)。

[0004] 低熔点玻璃在专利的发短信献2中户外。,它可以用作Pb0—B203零碎中间的低熔点。 Sweden 瑞典在较低的发烧下煽动,包罗Ag20。 :8~20%、M〇03:20~35%、ZnO:1~6%、 Te02:30 ~55%、V205:5 ~19% (专利的发短信件) 2)。

[0005]旁,用作刻胶水作为论据的事实的玻璃,户外了以下玻璃。:它的产生包罗 氧化物质基体的优质的比为40~65% Ag20。、约15~35%V205、从TE02中选出0~50%摆布。、 Pb02&Pb304中间的无论如何1种氧化物质的Ag20-V205-Te02-Pb02结晶(拿 … 来说专利的发短信献3)。专利的发短信 献3中户外的玻璃被运用在拿 … 来说房屋感温性集成电路器件的陶瓷器包装空军将领感温生殖器官件 高温(拿 … 来说350℃)的糊状物。

[0006] 现存的技术公文

[0007] 专利的发短信献

[0008] 专利的发短信献1:日本特开昭51-138711号公报

[0009] 专利的发短信献2:日本特开平8-259262号公报

[0010] 专利的发短信献3:日本特表平8-502468号公报

[创造情节]

[0011] 创造要处置的课题
[0012] 虽然,Pb0-B203系的低熔点玻璃或专利的发短信献1~3中户外的低熔点玻璃就绝大部分说起情境 包罗铅以下(Pb)、砷(砷)、Antimony(SB)、碲(Te)等危险物料。最近几年中,使处于某种特定的情况之下成绩日趋未完成的。 等,想要圆片胶水作为论据的事实。、导电膏或密封作为论据的事实中运用不含危险物料的玻璃。旁,想要 圆片粘接作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实中运用可以应用于对热极端敏感的半导体有根基的或 集成电路器件用低熔点玻璃。
[0013] 本创造的正题是补充对应于SIT的无铅的。、砷、安蒂莫尼和碲等危险物料。 熔点低的玻璃料。
[0014] 处置成绩的方式
[0015] 本创造1触及:一种玻璃料,它使详细化(a)AG20、(B)V205、和(c)选自M 03、ZnO、 CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、无论如何在巴奥和P205。 1 种基本的氧化物质。
[0016] 本创造2触及:基准本创造1的玻璃料,它还包罗SI02。、A1203、SnO、 3和FE203中无论如何1产型的二氧化物质。
[0017] 本创造3触及:基准本创造1的玻璃料,内侧的,03和Zn0的结合(C)、M〇0#P CuO、或ZnO与CuO。
[0018] 本创造4触及:基准本创造1的玻璃料,内侧的,结成物(C)为M 0 03。、ZnO与CuO。
[0019] 本创造5触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、和(c)选自M 03、 ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、无论如何在巴奥和P205。 1 基本的氧化物质形成。。
[0020] 本创造6触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、和(c)选自M 03、 ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、BAO和P205 2 基本的氧化物质形成。。
[0021] 本创造7触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、(c)选自M 03、Zn0、 CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、无论如何在BA0和P205中 1 种基本的氧化物质、和(d)选自SI02、 A1203、SnO、103和Fe203中无论如何1种二氧化氮。
[0022] 本创造8触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(b)V205和(c)m 03制定。
[0023] 本创造9触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、(11, 03和ZnO) 制定。
[0024] 本创造10触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、和(C)MoOjCuO 制定。
[0025] 本创造11触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、和(c)Zn0和CuO 制定。
[0026] 本创造12触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、和(c)M 0 03、Zn0及 氧化铜结合。
[0027] 本创造13触及:一种玻璃料,实际上,它是(A)AG20。、(B)V205、(C)M〇03、投票 因为SI02、A1203、SnO、在才能3和Fe203中无论如何产生1种氧化物质。。
[0028] 本创造14触及:基准本创造1~13中间的任一玻璃料,它被氧化物质交替。,绝对 于总优质的,身分满足的(a)为40~70优质的%。,身分(B)满足的为10~40优质的%。,妥协(C) 情节是优质的%。
[0029] 本创造15触及:基准本创造14的玻璃料,它被氧化物质交替。,绝对总优质的,成 m(03)in(c)、ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、任性宝或P205 1 种基本的氧化物质 情节是优质的%。
[0030] 本创造16触及:基准本创造1~15中间的任一玻璃料,内侧的,身分(a)绝对 构成部分3的优质的比(Ag20/V205)为1。 8~3. 2。
[0031] 本创造17触及:基准本创造2、13~16中间的任一玻璃料,它被氧化物质交替。,相 关于总优质的,身分(D)满足的为0~15优质的%。。
[0032] 本创造18触及:基准本创造9、14~17中间的任一玻璃料,内侧的,妥协(C)的 M 0 03与ZnO(M 03)的优质的比 ZnO) 12 : 1 ~1 : 12。
[0033] 本创造19触及:基准本创造10、14~17中间的任一玻璃料,内侧的,妥协(C)的 PAN 03与CuO(M 03)的优质的比 CuO) 12 : 1 ~1 : 10。
[0034] 本创造20触及:基准本创造11、14~17中间的任一玻璃料,内侧的,妥协(C)的 ZnO与CuO的优质的比为ZnO∶CuO。 12 : 1~1 : 12。
[0035] 本创造21触及:基准本创造12、14~17中间的任一玻璃料,内侧的,妥协(C)的 M〇03与ZnO与CuO的粗俗的的优质的比(M〇03:CuOZnO的粗俗的)为12 : 1~1 : 12。
[0036] 创造结果
〔0037〕本创造可补充无铅(Pb)。、砷(砷)、Antimony(SB)及碲(Te)的危险物料且熔点低的 玻璃料。本创造的低熔点的玻璃料具有拿 … 来说300°C以下的玻璃化交替发烧(Tg)、350摄氏温度以下 结晶发烧(Tc)和重结晶作用发烧B。本创造的玻璃料可以运用在刻 忠诚作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实中。
[详细抬出去模仿]
[0038][玻璃料]
[0039] 本创造触及一种玻璃料,它使详细化(a)AG20、(B)V205、和(c)选自MO03、Zn0、CU0、Ti02、 Bi203、Mn02、MgO、Nb205、无论如何在巴奥和P205。1种基本的氧化物质。
[0040] 玻璃料偏爱具有以下特点的玻璃料。
[0041] (1)玻璃料的玻璃化交替发烧(Tg)偏爱为300°C以下、更偏爱小于250摄氏温度、进一 该开动偏爱小于200℃。、最好的选择是在摄氏180度以下。。玻璃料的玻璃化交替发烧(Tg)越低,越能搞错 低处置发烧。在另一方面,为了独占的事物发扬高烧应力抵抗性的玻璃特点,玻璃料的玻璃化交替温 度(Tg)偏爱在80℃很。。
[0042] (2)玻璃料的晶化发烧(Tc)偏爱为400°C以下、更偏爱小于380摄氏温度、更进一步优选法 为350摄氏温度以下、最好的选择是在摄氏300度以下。。玻璃料的晶化发烧(Tc)越低,越能搞错低处置发烧。另 一方面,为了独占的事物发扬高烧应力抵抗性的玻璃特点,玻璃料的晶化发烧(Tc)偏爱为100°C 很。
[0043] (3)玻璃料的结晶再软化发烧(Tr)偏爱为500°C以下、更偏爱小于480摄氏温度、进一 该开动偏爱小于450℃。、最好的选择是在摄氏400度以下。。玻璃料的结晶再软化发烧(Tr)越低,越能搞错 低处置发烧。在另一方面,为了独占的事物发扬高烧应力抵抗性的玻璃特点,玻璃料的结晶再软化温 度(Tr)偏爱在200℃很。。
[0044] 玻璃料偏爱为具有300°C以下的玻璃化交替发烧(Tg)、350摄氏温度以下的晶化发烧 (Tc)及500°C以下的结晶再软化发烧(Tr)的玻璃料。本创造的玻璃料拿 … 来说可以用于刻黏 着作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实。导电浆料,拿 … 来说,可用于电极产生的导电浆料可布边。。 关于刻胶水作为论据的事实或导电浆料,电导率或热CO。密封作为论据的事实不喜欢电导性或热传导。 性。
[0045] 使详细化本创造的玻璃料的刻状粘接作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实在较低处置发烧 (拿 … 来说,小于500摄氏温度),易变的将补充部分。、并完整开发了键合交谈的使潮湿性。,粘接目标可以粘接。。 旁,就本创造的玻璃料说起,在350摄氏温度以下的较低发烧下再次使玻璃料重结晶作用化,所以使 结晶身份几乎共晶身份。,很结晶而不在上的结晶。。然后,本创造的玻璃料 也有 重结晶作用发烧(Tr)的50(小于Tc)。在将运用了使详细化本创造的玻璃料的刻忠诚材 料、导电膏或密封作为论据的事实的有根基的放在内粘接被粘目的后停止使详细化被粘目的的电子零件等 使处于某种特定的情况之下的热成环,它可以监禁粘附目标暗中扩大性的失配。 开裂等。。使详细化本创造的玻璃料的刻状粘接作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实可以发扬高烧应力 抵抗性、并能雇用较高的粘合。。本创造的玻璃料可以在可以应用于对热极为敏感的被粘 目标用刻胶水作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实中。对热极端敏感的胶粘目标。,可布边收 容集成电路器件的陶瓷器包装、显示配件和其他的电子元件。。
[0046]玻璃料使详细化选自M〇03、ZnO、CuO、Ti02、Bi203、Mn02、MgO、Nb205、无论如何在巴奥和P205。 1种基本的氧化物质作为妥协(C),可不得不2多种很的一种或3多种很的氧化物质。 物。
[0047] 在玻璃料使详细化2种很的妥协(C)的基本的氧化物质的情境下,妥协(C)偏爱为M〇03 ZnO、0 03和CuO、或ZnO和CuO。
[0048] 在玻璃料使详细化3种很的妥协(C)的基本的氧化物质的情境下,妥协(C)偏爱为M〇03、 ZnO与CuO。
[0049] 本创造的玻璃料偏爱还使详细化⑶选因为SI02、A1203、SnO、无论如何1种W0JFE203 二氧化氮。本创造的玻璃料经过使详细化作为(D)身分的二氧化氮而产生更复杂的共晶状 态的结晶,很结晶而不在上的结晶。。本创造的玻璃料可以运用在拿 … 来说晶 片岩质的粘接作为论据的事实、导电膏或密封作为论据的事实中。运用了使详细化本创造的玻璃料的刻状粘接作为论据的事实、导电 贴或密封作为论据的事实有根基的粘在胶粘目标上。